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1.3-7.0 微米中红外LED
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俄罗斯圣彼得堡的Mid-IR Diode Optopair Group 专注于中红外光电器件的研发生产,拥有美国、欧洲等多项该领域的专利技术。其技术来源于俄罗斯IOFFE物理技术研究所-纳米异质结材料中心。其主要产品:中红外发光二极管(LED),探测器(PD),以及中红外激光二极管。在环境气体检测、光电制导、医疗、工业分析等方面有着广泛的应用。

主要技术:
1)采用 III-V 族元素的异质结构(heterostructures)保证材料的热传导性和金属稳定性。基于In(Ga)As and InAs(Sb) 的LED可以在130-180摄氏度条件下工作几百个小时,而没有特别明显的功率衰减。

2)采用沉浸式透镜封装技术,使得光束能量更加集中,输出能量是一般封装技术的3倍,并使得LED非常容易和光纤等耦合。与具有相同结构的探测器(PD)更容易耦合,组成探测系统。

主要特点:

  • 窄带光源,无需加装滤光片
  • 可室温操作
  • 响应速度快,可快速调制,提高信噪比
  • 体积小,适合便携式仪器
  • 能耗低
  • 仪器整体成本低

主要产品:

型号 中心波长   FWHM(μm)   Pulsed power
at I=1 A
 CW power 
with heatsink
 Angle of view
FWHM
 LED19Sc 1.95±0.05 0.17±0.05 4÷7mW 0.7÷1.2mW ≤20
 LED21Sc 2.15±0.05 0.32±0.025 6÷9mW 1.2÷1.7mW ≤20
 LED30Sc 2.9÷3.0 0.5÷0.6 160÷300μW 40÷60μW ≤20
 LED34Sc 3.4±0.05 0.4±0.05 400÷450μW 125÷140μW ≤20
 LED36Sc3.65±0.05 0.5÷0.6 160÷290μW 40÷75μW ≤20
 LED38Sc 3.8÷3.9 0.5÷0.6 150÷200μW 45÷70μW ≤20
 LED42Sc 4.1±0.05 0.53±0.03 55÷85μW 18÷27μW ≤20
 LED47Sc 4.7±0.05 0.55±0.05 20÷28μW 4.0÷5.5μW ≤20
 LED55Sc5.4÷5.6∼1.09÷11μW1.5÷1.9μW≤20
OPLED70IL6.5÷7.01.5÷2.0≥20 ≤40

因为产品不断改进,技术参数请以下载版本为准

             光傲-中红外LED.pdf


 



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 : 红外辐射源光源、LD、LED: 激光二极管 
 
     



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