紫外、深紫外探测器 GaN \ SiC \ UVG Diodes

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紫外探测器

GaN/ AlGaN紫外探测器

阅读: 1675

GaN/ AlGaN材料的紫外探测器有极好的性价比，尤其是AlGaN通过调整各元素的比例，来达到UVA UVB UVC的测试需求，而不需要额外的窄带紫外滤光片，同时封装尺寸可以做到更小！主要特点: 基于GaN材料肖基特二极管不需要截止滤光片本质对可见光不响应可光伏模式操作产品型号及参数：型号光谱范围峰值波长灵敏度封装 GUVA-T10GD 200-375nm 370nm 0.2 ...

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SiC紫外探测器

阅读: 1585

　　德国的IFW公司在紫外探测器领域有着20多年的研发、生产经验，其SiC 紫外探测器产品种类丰富，多达100多种，相对于Si，金刚石薄膜，TiO2，钻石等紫外探测器，拥有巨大的优势！是您紫外探测应用的首选产品！主要特点光谱响应范围仅限于200-400nm 或 (210-380nm),不需要额外的滤光片来屏蔽可见光或红外辐射试验证明，即使在1000W/m2强度的254nm光辐照下，仍然保持 ...

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深紫外探测器

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美国IRD公司，专门制造用于探测紫外、深紫外、真空极紫外和软X射线光子的探测器。IRD公司是目前唯一能够制造并商用的用于检测VUV、EUV检测的Si探测器生产厂家。可用于紫外、深紫外的探测器有两大系列:UVG 系列:更加适合于130nm -1100nm 光相关的检测，可集成制定波长窄带滤光片 SXUV系列:适用于高光通量的场合，如UV/EUV脉冲辐射、准分子激光等，脉冲能量密度超过0.1 µJ/c ...

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: 光电倍增管

探测器

: 软X射线探测器

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